Добро пожаловать в Components-House.com
RFQs / Заказ

Выберите язык

Текущий язык: русский
Главная > Продукты > Дискретных полупроводниковых изделий > Транзисторы - FETS, MOSFET - Одиночный > IPB110N06L G
IPB110N06L G Image
Изображение может быть представлением.
см. Раздел для деталей продукта.

IPB110N06L G

Номер детали производителя IPB110N06L G
производитель Infineon Technologies
Подробное описание MOSFET N-CH 60V 78A TO-263
Упаковка PG-TO263-3-2
В наличии 5935 pcs
Техническая спецификация IPB,IPP110N06L GPart Number GuideMultiple Devices 11/Dec/2009
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Infineon Technologies.У нас есть кусочки 5935 Infineon Technologies IPB110N06L G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Сделать запрос Отправить Запрос на цитату по количествам больше, чем те, которые
отображается.

Спецификация

Свойства продукта Значение атрибута
Vgs (й) (Max) @ Id 2V @ 94µA
Технологии MOSFET (Metal Oxide)
Поставщик Упаковка устройства PG-TO263-3-2
Серии -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 11mOhm @ 78A, 10V
Упаковка / TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Упаковка Cut Tape (CT)
Тип установки Surface Mount
Свойства продукта Значение атрибута
Входная емкость (Ciss) (макс.) @ Vds 2700 pF @ 30 V
Заряд заряда (Qg) (макс.) @ Vgs 79 nC @ 10 V
Тип FET N-Channel
FET Характеристика -
Слить к источнику напряжения (VDSS) 60 V
Ток - непрерывный слив (Id) при 25 ° C 78A (Tc)
Базовый номер продукта IPB110N

Рекомендуемые продукты

IPB110N06L G DataSheet PDF

Техническая спецификация

Loading...